Тиристор. Материал для урока.

Тиристор.
Материал для урока.
Подготовил Евдокимов П.Е., преподаватель физики и электротехники.
Материал из Википедии свободной энциклопедии


Текущая версия страницы пока [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] опытными участниками и может значительно отличаться от [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ], проверенной 30 августа 2011; проверки требуют.
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]

Обозначение на схемах
Тири
·стор [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ], выполненный на основе монокристалла [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] с тремя или более [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.
Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ], симметричные динисторы).
Тиристор имеет нелинейную вольтамперную характеристику ([ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]) с участком [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком (лавинообразно) и осуществляется внешним воздействием на прибор: либо напряжением (током), либо светом (для фототиристора). После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала, если протекающий через тиристор ток превышает некоторую величину, называемую током удержания.


Устройство и основные виды тиристоров
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть картинку ]
Рис. 1[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]
Схемы тиристора: a) Основная четырёхслойная p-n-p-n-структура b) Диодный тиристор с) Триодный тиристор.
Основная схема тиристорной структуры показана на рис. 1. Она представляет собой четырёхслойный полупроводник структуры p-n-p-n, содержащий три последовательно соединённых [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] J1, J2, J3. Контакт к внешнему p-слою называется [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ], к внешнему n-слою [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]. В общем случае p-n-p-n-прибор может иметь до двух управляющих электродов (баз), присоединённых к внутренним слоям. Подачей сигнала на управляющий электрод производится управление тиристором (изменение его состояния). Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором или динистором. Такие приборы управляются напряжением, приложенным между основными электродами. Прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] (иногда просто тиристором, хотя это не совсем правильно). В зависимости от того, к какому слою полупроводника подключён управляющий электрод, тринисторы бывают управляемыми по аноду и по катоду. Наиболее распространены последние.
Описанные выше приборы бывают двух разновидностей: пропускающие ток в одном направлении (от анода к катоду) и пропускающие ток в обоих направлениях. В последнем случае соответствующие приборы называются симметричными (так как их [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] симметрична) и обычно имеют пятислойную структуру полупроводника. Симметричный тринистор называется также [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] или триаком (от англ. triac). Следует заметить, что вместо симметричных динисторов, называемых также диаками (от англ. diac), часто применяются их интегральные аналоги, обладающие лучшими параметрами.
Тиристоры, имеющие управляющий электрод, делятся на запираемые и незапираемые. Незапираемые тиристоры, как следует из названия, не могут быть переведены в закрытое состояние с помощью сигнала, подаваемого на управляющий электрод. Такие тиристоры закрываются, когда протекающий через них ток становится меньше тока удержания. На практике это обычно происходит в конце полуволны сетевого напряжения.
Вольтамперная характеристика тиристора
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]

Рис. 2. Вольтамперная характеристика тиристора
Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении (с управляющими электродами или без них), приведена на рис 2. Она имеет несколько участков:
Между точками 0 и 1 находится участок, соответствующий высокому [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] прибора  прямое запирание.
В точке 1 происходит включение тиристора.
Между точками 1 и 2 находится участок с [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ].
Участок между точками 2 и 3 соответствует открытому состоянию (прямой проводимости).
В точке 2 через прибор протекает минимальный удерживающий [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] Ih.
Участок между 0 и 4 описывает режим обратного запирания прибора.
Участок между 4 и 5  режим обратного пробоя.
Вольтамперная характеристика симметричных тиристоров отличается от приведённой на рис. 2 тем, что кривая в третьей четверти графика повторяет участки 03 симметрично относительно начала координат.
По типу нелинейности ВАХ тиристор относят к [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ].
Режимы работы триодного тиристора
[Режим обратного запирания
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть картинку ].
Прокол [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ].
В режиме обратного запирания к аноду прибора приложено [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ], отрицательное по отношению к катоду; переходы J1 и J3 смещены в обратном направлении, а переход J2 смещён в прямом (см. рис. 3). В этом случае большая часть приложенного напряжения падает на одном из переходов J1 или J3 (в зависимости от степени легирования различных областей). Пусть это будет переход J1. В зависимости от толщины Wn1 слоя n1 пробой вызывается лавинным умножением (толщина обеднённой области при пробое меньше Wn1) либо проколом (обеднённый слой распространяется на всю область n1, и происходит смыкание переходов J1 и J2).
Режим прямого запирания
При прямом запирании напряжение на аноде положительно по отношению к катоду и обратно смещён только переход J2. Переходы J1 и J3 смещены в прямом направлении. Большая часть приложенного напряжения падает на переходе J2. Через переходы J1 и J3 в области, примыкающие к переходу J2, [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ], которые уменьшают сопротивление перехода J2, увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через тиристор сначала растёт медленно, что соответствует участку 0-1 на ВАХ. В этом режиме тиристор можно считать запертым, так как сопротивление перехода J2 всё ещё очень велико. По мере увеличения напряжения на тиристоре снижается доля напряжения, падающего на J2, и быстрее возрастают напряжения на J1 и J3, что вызывает дальнейшее увеличение тока через тиристор и усиление инжекции неосновных носителей в область J2. При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен вольт), называется напряжением переключения VBF (точка 1 на ВАХ), процесс приобретает лавинообразный характер, тиристор переходит в состояние с высокой проводимостью (включается), и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи.
Двух транзисторная модель
Для объяснения характеристик прибора в режиме прямого запирания используется двух транзисторная модель. Тиристор можно рассматривать как соединение p-n-p [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] с n-p-n транзистором, причём коллектор каждого из них соединён с базой другого, как показано на рис. 4 для триодного тиристора. Центральный переход действует как коллектор [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ], инжектируемых переходом J1, и [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ], инжектируемых переходом J3. Взаимосвязь между токами эмиттера IE, коллектора IC и базы IB и статическим коэффициентом усиления по току
·1 p-n-p транзистора также приведена на рис. 4, где IСо обратный ток насыщения перехода коллектор-база.
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть картинку ]




[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]

Рис. 4. Двух транзисторная модель триодного тиристора, соединение транзисторов и соотношение токов в p-n-p транзисторе.
Аналогичные соотношения можно получить для n-p-n транзистора при изменении направления токов на противоположное. Из рис. 4 следует, что коллекторный ток n-p-n транзистора является одновременно базовым током p-n-p транзистора. Аналогично коллекторный ток p-n-p транзистора и управляющий ток Ig втекают в базу n-p-n транзистора. В результате, когда общий коэффициент усиления в замкнутой петле превысит 1, оказывается возможным регенеративный процесс.
Ток базы p-n-p транзистора равен IB1 = (1 
·1)IA  ICo1. Этот ток также протекает через коллектор n-p-n транзистора. Ток коллектора n-p-n транзистора с коэффициентом усиления
·2 равен IC2 =
·2IK + ICo2.
Приравняв IB1 и IC2, получим (1 
·1)IA  ICo1 =
·2IK + ICo2. Так как IK = IA + Ig, то [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть картинку ]

[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть картинку ]
Рис. 5
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]

Рис. 5. Энергетическая зонная диаграмма в режиме прямого смещения: состояние равновесия, режим прямого запирания и режим прямой проводимости.
Это уравнение описывает статическую характеристику прибора в диапазоне напряжений вплоть до пробоя. После пробоя прибор работает как [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]. Отметим, что все слагаемые в числителе правой части уравнения малы, следовательно, пока член
·1 +
·2 < 1, ток IA мал. (Коэффициенты
·1 и
·2 сами зависят от IA и обычно растут с увеличением тока) Если
·1 +
·2 = 1, то знаменатель дроби обращается в нуль и происходит прямой пробой (или включение тиристора). Следует отметить, что если полярность напряжения между анодом и катодом сменить на обратную, то переходы J1 и J3 будут смещены в обратном направлении, а J2  в прямом. При таких условиях пробой не происходит, так как в качестве эмиттера работает только центральный переход и регенеративный процесс становится невозможным.
Ширина обеднённых слоёв и энергетические зонные диаграммы в равновесии, в режимах прямого запирания и прямой проводимости показаны на рис. 5. В равновесии обеднённая область каждого перехода и контактный потенциал определяются профилем распределения примесей. Когда к аноду приложено положительное напряжение, переход J2 стремится сместиться в обратном направлении, а переходы J1 и J3  в прямом. Падение напряжения между анодом и катодом равно алгебраической сумме падений напряжения на переходах: VAK = V1 + V2 + V3. По мере повышения напряжения возрастает ток через прибор и, следовательно, увеличиваются
·1 и
·2. Благодаря регенеративному характеру этих процессов прибор в конце концов перейдёт в открытое состояние. После включения тиристора протекающий через него ток должен быть ограничен внешним сопротивлением нагрузки, в противном случае при достаточно высоком напряжении тиристор выйдет из строя. Во включенном состоянии переход J2 смещён в прямом направлении (рис. 5, в), и падение напряжения VAK = (V1  |V2| + V3) приблизительно равно сумме напряжения на одном прямосмещенном переходе и напряжения на насыщенном, транзисторе.
Режим прямой проводимости
Когда тиристор находится во включенном состоянии, все три перехода смещены в прямом направлении. Дырки инжектируются из области p1, а электроны  из области n2, и структура n1-p2-n2 ведёт себя аналогично насыщенному транзистору с удалённым диодным контактом к области n1. Следовательно, прибор в целом аналогичен p-i-n (p+-i-n+)-диоду
Отличие динистора от тринистора
Принципиальных различий между динистором и тринистором нет, однако если включение динистора происходит при достижении между выводами анода и катода определённого напряжения, зависящего от типа данного динистора, то в тринисторе напряжение включения может быть специально снижено, путём подачи импульса тока определённой длительности и величины на его управляющий электрод при положительной разности потенциалов между анодом и катодом, и конструктивно тринистор отличается только наличием управляющего электрода. Тринисторы являются наиболее распространёнными приборами из «тиристорного» семейства.
Выключение тиристоров производят либо снижением тока через тиристор до значения Ih, либо изменением полярности напряжения между катодом и анодом. В настоящее время разработан целый класс запираемых тиристоров, которые переходят в закрытое состояние после подачи на управляющий электрод напряжения отрицательной полярности.
Симистор
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] (симметричный тринистор) представляет собой тиристор, по своей структуре подобный двум встречно-параллельным тринисторам. Способен пропускать электрический ток в обоих направлениях.
Характеристики тиристоров
Современные тиристоры изготовляют на токи от 1 мА до 10 кА; на напряжения от нескольких В до нескольких кВ; скорость нарастания в них прямого тока достигает 109 А/с, напряжения  109 В/с, время включения составляет величины от нескольких десятых долей до нескольких десятков мкс, время выключения  от нескольких единиц до нескольких сотен мкс; [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] достигает 99 %.
Применение
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]
Управляемые [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]
Преобразователи ([ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ])
Регуляторы мощности ([ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ])
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]





Заголовок 1 Заголовок 2 Заголовок 3 Заголовок 415

Приложенные файлы


Добавить комментарий